【簡介：】專利是有地域性的，如果某國外技術沒有在中國申請專利，那就無需取得許可，可以直接使用。
需要注意的是：
1、專利從申請到公布有一段時間周期，該技術有可能已經(jīng)在國內(nèi)提交了申請，但

專利是有地域性的，如果某國外技術沒有在中國申請專利，那就無需取得許可，可以直接使用。
需要注意的是：
1、專利從申請到公布有一段時間周期，該技術有可能已經(jīng)在國內(nèi)提交了申請，但是還未公開。
2、如果很確定沒在國內(nèi)申請，你可以在國內(nèi)正常生產(chǎn)、銷售，但是出口的話就必須了解該技術是否在你打算出口產(chǎn)品的國家申請了專利，否則就侵權了。

我國有沒有無人直升機

　2012.12.27日，由山東濰坊天翔航空工業(yè)有限公司自主研發(fā)的V750無人直升機首次在濰坊市北部沿海區(qū)域進行飛行，V750無人直升機起飛重量757公斤，任務載荷大于80公斤，最大平飛速度為每小時161公里，最大航程為500公里，續(xù)航時間大于4小時，是中國目前最大的無人直升機。

中國有沒有攻擊無人機，性能如何？

1）“暗箭”攻擊型無人機 2）“暗箭”目前才處于定型階段不可能試飛。 3）“暗箭”應用范圍：按照“暗箭”模型所宣稱的戰(zhàn)術要求和大致比例來看，基本可以確定該機是正常起飛重量在10噸以上的中型無人機，高空最大飛行速度應該能夠達到2馬赫并具備超音速巡航能力，低空最大飛行速度和綜合機動性也可以超過同類技術水平的有人駕駛常規(guī)戰(zhàn)斗機。“暗箭”在載荷和航程上應與F一35這種第四代戰(zhàn)斗機相差不多，采用標準飛行剖面時的作戰(zhàn)半徑能夠達到800～1000公里，完全有能力在機體內(nèi)部彈艙掛載約1000-1500公斤載荷，可以根據(jù)作戰(zhàn)任務掛載4枚250公斤制導炸彈或者同樣數(shù)量的SD一10空空導彈。 4）“暗箭”采用紅外／激光雷達裝置，可以對小型運動目標進行自主搜索、定位和分析，能夠依靠全球定位裝置和激光／紅外制導的制導彈藥進行精確打擊，依靠其低信號特征優(yōu)勢還能夠攜帶反輻射武器對敵方縱深進行攻勢防空壓制。

我國專利分為發(fā)明，實用新型和外觀設計三種這三種怎么區(qū)分

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發(fā)明保護產(chǎn)品和方法的技術方案
實用新型保護有具體結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品的技術方案（化學品，粉末等無定型產(chǎn)品不可以申請）
外觀設計保護的是產(chǎn)品所承載的設計方案.例如:娃哈哈的瓶子以及瓶貼都可以申請外觀專利.最有名的金嗓子喉寶的盒子子就申請了外觀專利.您可以看看.
從專利號/申請?zhí)杹砜?申請?zhí)柕?位/第5位為1的表示發(fā)明專利，為2則是實用新型，為3的是外觀設計，為8/9的則是pct(PCT是指國際申請的意思)申請進入中國。

中國芯片最大痛點：光刻機為啥這么難？

光刻機應該不是中國芯片的最大痛點。分明是含有美國技術的代工嘛。據(jù)報道，國內(nèi)現(xiàn)有代工廠無一不是這樣，都不能讓華為芯片設計在自己那里變?yōu)楫a(chǎn)品。

自主研發(fā)國產(chǎn)光刻機分明有啊。上海微電子早就可以實現(xiàn)90nm光刻機的生產(chǎn)。倒是像軍民用飛機的航空發(fā)動機一樣，光刻機雖然有，我國是世界上極少數(shù)擁有的國家之一，已經(jīng)了不起，卻與全球頂級有著很大的差距，痛是痛著，但不是最大的痛，因為不像國內(nèi)代工廠們，自己不僅為技術水平是低端的而痛著，更由于被美國管制得死死的即“形有卻實無”而痛著，還讓本是芯片設計技術為世界先進的同一國兄弟企業(yè)為孤立無援而心痛著。

據(jù)報道上海微電子將在2021或2022年推出28nm光刻機。也有人說不叫28nm光刻機，而是193nm浸入式光刻機，193nm是光源波長，極限工藝是7nm。反正將是又進一步，并且，荷蘭ASML是集全世界之力搞出全球頂級的，我國則是在被封鎖相關技術的情況下單獨搞出來的，而擁有了低端的就會擁有高端的，最重要的是走上了自主研發(fā)的道路，這分外珍貴，也大有前途。

國產(chǎn)頂級光刻機制造的最大難點在于國內(nèi)還制造不出頂級零件。頂級光刻機必須通過整合那些相關頂級技術和零件才能實現(xiàn)是已知的，這是ASML的既有模式和成功經(jīng)驗。整合應該是相對容易的，然而，我國的鏡頭、光源、材料等等配套企業(yè)在技術水平上卻還不是世界頂級的，這是光刻機這個痛點持續(xù)存在的根本因素。

一國單獨造出頂級光刻機還沒有先例。世界頂級的光刻機技術和零件配套企業(yè)都是誰是已知的，卻又知道不會給我國提供配套，我國只能單打獨斗，這也就表明我國注定是發(fā)展慢于ASML的，盡管技術都是什么、復雜在哪里也是已知的，國內(nèi)配套企業(yè)就是難以很快提升技術水平，同時，顯然表明達到高端只是個時間問題，這符合科技研發(fā)的普遍規(guī)律。這一切都跟我國的航空發(fā)動機特別像。早就聽說ASML講過即使我國企業(yè)拿到圖紙也造不出頂級光刻機，此話肯定太離譜了，我國的上海微電子及其配套企業(yè)一定會堵住ASML的嘴。

已有的光刻機特別是將有的技術更進一步光刻機應該就能讓華為擺脫美國切斷國內(nèi)外代工渠道所致的困境。如果連中芯國際都代工不上華為芯片，華為大不了自己購買和使用上海微電子最新推出的光刻機，實現(xiàn)自己設計、自己制造，雖然只能暫時生產(chǎn)出中低端芯片，卻也是有路可走，立馬打破了美國政府的阻遏。

回答完畢，感謝題主！

芯片和光刻機，痛點和難，幾個關鍵詞組成的一個問題，充分說明了自從美國宣布制裁中興，到后來的制裁華為，再到后來增加的一系列實體名單，讓芯片國產(chǎn)化變成了異常熱的一個話題，國產(chǎn)芯片成為中國人的“芯”坎兒，讓生產(chǎn)芯片的光刻機更成為似乎比研制導彈原子彈更難的科學課題之一。

這個問題，還讓我想起了不久前的一則新聞，雖然后來證實這是個假新聞——

謠言：中科院已設計出2納米芯片在2020年2~4月間，不斷有網(wǎng)傳新聞稱中科院以設計出2納米芯片，甚至更有媒體誤傳成中科院以生產(chǎn)處2納米芯片。

事實的真相是中科院的科學家們實現(xiàn)了生產(chǎn)2納米芯片的關鍵技術突破——成功研發(fā)出了生產(chǎn)2nm及以下芯片工藝所需要的新型晶體管——疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。

那么，這個疊層垂直納米環(huán)柵晶體管和2納米及一下機芯片有啥關系呢？

對于半導體行業(yè)來說，芯片是有一個個晶體管組成的，或者說晶體管是芯片的一個單元元器件。

但是，這些晶體管不是簡單地堆積羅列在一起。

至于我們常說的7nm、5nm、2nm的芯片是指晶體管與晶體管之間的距離為7nm、5nm、2nm，晶體管之間能在頭發(fā)絲的千分之一、萬分之一的距離上實現(xiàn)幾十億晶體管“部署”，并保證良品率，可見難度極大。

一般來說，芯片制造分為前段設計和后端制造，題主這個問題的提出，正是暴露出了中國芯片制造的問題要比芯片設計的問題更多。

在回答問題之前把中科院的這個疊層垂直納米環(huán)柵晶體管問題，是想說其實中國在芯片設計上，問題并不像光刻機那樣顯得那么難。

因為——

中國芯片看制造，芯片制造看光刻目前，紫光展銳、華為、中興通訊都實現(xiàn)了7納米芯片的設計，但依然需要與三星或臺積電合作。

譬如，來自中芯國際的新聞就說，中芯國際已經(jīng)繞過蘭ASML公司光刻機的專利，并能成功制造出7納米芯片，在今年年底即將量產(chǎn)。

而且，有一些芯片中國還不能獨立設計出來，或者設計出來在性能上不如外國的。

芯片設計屬于半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)中極為重要的一環(huán)，同等重要。

盡管7納米芯片與外國企業(yè)合作設計出來了，但是如果要國產(chǎn)化，中國企業(yè)卻造不出來，為什么？

因為中國沒有能夠制造7納米芯片的設備——7納米芯片光刻機。

相信會有人說那，中國現(xiàn)在技術已經(jīng)比較發(fā)達，造一臺7納米芯片光刻機不就行了嗎？像制造殲20一樣。

對不起，中國造不出來。

為什么？

中國不缺乏光刻機，缺乏的是高端光刻機好，說到光刻機，我們先說下，這個光刻機是做什么的？

光刻機，是把電子元器件，也就是剛才說到的晶體管，幾納米幾納米的晶體管，幾個億或幾十個億的電子元器件刻出來，這是最關鍵的一道工序。

目前只有荷蘭ASML能生產(chǎn)的光刻機也在5納米制程上。

像文首假新聞稱的中科院能夠制造出2納米的芯片，目前在全球，還未能有一家企業(yè)或國家能做出來。

既然說到荷蘭的ASML公司，在半導體行業(yè)或芯片制造光科技上很先進，到底有多先進呢？

我們必須回顧下荷蘭的ASML公司歷史。

荷蘭的ASML公司，并不是荷蘭這個國家的公司，而是集全球半導體行業(yè)設計、制造和材料行業(yè)所有產(chǎn)業(yè)鏈最前沿最高端最先進的公司作為股東成了的一家公司，為半導體生產(chǎn)商提供光刻機及相關服務。

TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生產(chǎn)效率最高，應用最為廣泛的高端光刻機型。目前全球絕大多數(shù)半導體生產(chǎn)廠商，都向ASML采購TWINSCAN機型，像英特爾、三星、海力士、臺積電、中芯國際等。

而且，全球只有ASML有能力生產(chǎn)能力制造和出貨EUV光刻機，尼康的最高技術水平還停留在ArF氟化氬沉浸式光刻機。

EUV光刻機一臺可以銷售1.5億美元左右，而沉浸式光刻機一臺才幾千萬美元，相差一大截子。

問題是，其他企業(yè)像ASML都買到了，單單中國的中芯國際遭到了拒絕。

2018年，中芯國際曾向荷蘭ASML公司訂購兩臺光刻機，可直至今日，這兩臺光刻機依然不見蹤影，其給出的理由是未能取得荷蘭政府的同意，什么未能取得荷蘭政府的同意，大家都能明白，其眾所周知的原因肯定是背后的美國。

就像當年中國要與歐洲共同打造伽利略導航系統(tǒng)一樣，但結(jié)果確實中國只能支付巨資使用，卻不能參與技術，也和當年以色列售賣給中國無人機一樣，最后的結(jié)果都是未能交付。

光刻機：人類工業(yè)皇冠上的明珠有人這樣形容光刻機產(chǎn)業(yè)——人類工業(yè)皇冠上的明珠。

這不是沒有道理的，因為——

光刻機是一種集合了數(shù)學、光學、流體力學、高分子物理與化學、表面物理與化學、精密儀器、機械、自動化、軟件、圖像識別領域頂尖技術的產(chǎn)物。

一輛汽車的零件，約有20000個。而一臺光刻機呢，據(jù)說有10w個零件。

光零件多還不算，更為關鍵的是，它集合了全球最高端做前沿的材料技術。

拿最先進的ASML極紫外光EUV光刻機為例，在這臺尖端光刻機上會看到全世界各國頂尖技術的薈萃：德國提供蔡司鏡頭技術設備，日本提供特殊復合材料，瑞典的工業(yè)精密機床技術，美國提供控制軟件、電源等等等等。

問題是，提供這些設備啊、材料啊、機床啊、軟件啊的公司，幾乎都是ASML的股東，簡單說，ASML的股東是光刻機制造業(yè)相關配套技術和設備供應的最高境界。

簡單說，EUV光刻機的生產(chǎn)是全球技術合作的產(chǎn)物，世界上任何一個國家都不具備單獨生產(chǎn)這種光刻機的技術和能力。

看到這里，相信都理解了為什么美國要限制中國使用光刻機和芯片技術，美國是用全球合作的最高端技術實現(xiàn)對中國的封鎖。

所以生產(chǎn)7nm、5nm芯片的光刻機，目前中國確實制造不出來，也不具備這樣的能力。

中國為什么造不出7納米芯片的光刻機這個問題，我想用兩個圖表來說明——

上圖是2019年全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈價值分布概覽。設備制造（光刻機光刻膠等）中國大陸的份額只有2%，其他地區(qū)中包括歐洲，日本，韓國，中國臺灣占到了51%，美國占到47%。

我們再來看設備制造中具體有哪些公司。

中國只有中微半導體和北方華創(chuàng)還算可以，但這兩家公司不是造光刻機的。

荷蘭在半導體設備制造方面是真的強，ASML吃掉了全世界光刻機市場的95%，佳能和尼康一般也不外賣。

中國光刻機，目前的最先進水平，應該是上海微電子的能制造28nm制程芯片的duv光刻機，有潛力做到7nm制程，但需要其他領域的配合。

至于說到其他領域的配合，偏偏，在光刻機領域上，中國存在著諸多領域的短板。

ASML的成功是全球頂尖產(chǎn)業(yè)鏈的幾盒融合。

佳能，尼康做了相機那么久，最后都退出EUV的研發(fā)，國內(nèi)光學基礎本來就不好，在激光器，鏡頭方面跟國外差距還很大，短時間內(nèi)很難追上。

光刻機，其零件基本都是精密度很高的，通常只有歐美日的老牌企業(yè)才能制造出來，賣給我們。

現(xiàn)在的問題是，即使中國設計出高端光刻機，制造光刻機的精密零件也得不到。

那就研制這些高精密度的零件吧，相信三年不行五年，五年不行十年，總能調(diào)試出來的。

雖然出來了仍然會落后，但由于摩爾定律的限制，總有一天會追上國際先進水平的。

到達到國際先進水平的時候，也許總研發(fā)資金千億以上了，考慮到時間成本，上萬億也可能。

就說中國的北斗系統(tǒng)，不也是經(jīng)過十幾年三代科學家才搞成功的么？

北斗投入要多大？

再說，在衛(wèi)星和航天領域，中國本就比較先進。

但在孤傲高科技領域不是。

話再說回來，即使高端光刻機研制出來，市場也小啊，只能銷售給有限的幾個企業(yè)。

為什么全球國家聯(lián)合起來組建一個荷蘭的ASML公司，也許也是因為產(chǎn)值、市場不大的原因，否則基于美國、日本的技術，不會不傾一國之力搞出來。

好了，終于花費巨資研究、設計、生產(chǎn)，搞出來了，但一年的需要量，可能就幾十億的產(chǎn)值。

完全自主研發(fā)高端光刻機，必然是個巨虧的生意。

再說，中國制造的光刻機，還面臨著諸多專利技術的限制。

相信依靠我們自己總有一天，能制造出來自己的光刻機，但任重道遠。

最后感謝題主。