【簡(jiǎn)介:】估計(jì)會(huì)是一款可以通過(guò)手機(jī)語(yǔ)音,和面部表情人機(jī)交流的車載無(wú)人機(jī)。
無(wú)人機(jī)估計(jì)可以像狗一樣,讀懂我們的表情,從而做出反應(yīng),而且我們也可以直接通過(guò)語(yǔ)音給無(wú)人機(jī)編輯程序和下命令
估計(jì)會(huì)是一款可以通過(guò)手機(jī)語(yǔ)音,和面部表情人機(jī)交流的車載無(wú)人機(jī)。
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無(wú)人機(jī)有了車載平臺(tái),可以邊飛邊充電,極大增加續(xù)航。
比亞迪造起芯片來(lái)有多野?深扒了他的專利家底我發(fā)現(xiàn)……
?[汽車之家?行業(yè)]??比亞迪半導(dǎo)體有限公司最近財(cái)運(yùn)不斷,繼5月26日融資19億元人民幣之后,6月15日又獲8億元融資。一個(gè)月內(nèi)兩度融資,估值已達(dá)102億元,并明確將于適當(dāng)時(shí)機(jī)獨(dú)立上市。王傳福曾說(shuō)過(guò):“其實(shí)我當(dāng)年要是不造車的話,我們就造半導(dǎo)體”??磥?lái),干芯片,比亞迪真的要搞事情了。
?芯片,是中國(guó)先進(jìn)制造業(yè)的隱痛。在國(guó)內(nèi)整體芯片工業(yè)不力的大背景中,一家造汽車的,造的芯片能有多優(yōu)秀呢?技術(shù)行不行,專利最有發(fā)言權(quán)。于是,我們把比亞迪申請(qǐng)的所有IGBT芯片專利擼了下,分析結(jié)果來(lái)了――
?IGBT,學(xué)名絕緣柵雙極型晶體管,俗稱電力電子裝置的“CPU”。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷c動(dòng)力電池一樣,也是新能源汽車的核心技術(shù)。
?IGBT芯片的設(shè)計(jì)和制造工藝難度都很高,我國(guó)IGBT長(zhǎng)期被卡脖子,中高端IGBT產(chǎn)能嚴(yán)重不足,幾乎全部依賴英飛凌等國(guó)際巨頭。隨著產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)張,我國(guó)新能源汽車急需一顆強(qiáng)健的IGBT“中國(guó)芯”。
?◆比亞迪到底申請(qǐng)了多少專利?
?2007年,比亞迪提出其首個(gè)IGBT專利申請(qǐng),截止2020年5月8日,德溫特世界專利數(shù)據(jù)庫(kù)里一共有比亞迪公開(kāi)的130個(gè)IGBT專利族,包括231條專利記錄。這就是比亞迪IGBT芯片當(dāng)前的全部技術(shù)家底了,其中75%的專利布局于中國(guó)大陸。
?那么,231條授權(quán)專利,在國(guó)際圈兒是個(gè)什么水平?
?富士電機(jī)、三菱電機(jī)和英飛凌擁有的IGBT專利最多,但他們都起步早。上世紀(jì)80年代,富士電機(jī)和三菱電機(jī)就已開(kāi)展IGBT技術(shù)研發(fā),目前兩家公司分別握有1733、1056個(gè)專利族;英飛凌雖然1994年才申請(qǐng)其首個(gè)IGBT專利,但數(shù)量增長(zhǎng)很快,近幾年的申請(qǐng)量排名第一,且已成車規(guī)級(jí)IGBT芯片霸主。
?比亞迪的IGBT研發(fā)比日本晚了20多年!底子薄,只能快點(diǎn)跑,追到哪里了呢?
?◆比亞迪的技術(shù)工藝處于什么水平?
?比亞迪2005年成立IGBT團(tuán)隊(duì),2008年收購(gòu)了資不抵債宣布破產(chǎn)的寧波中緯積體電路,這筆買賣之后,比亞迪開(kāi)始了IGBT芯片的自主研發(fā)。
?2015年,比亞迪IGBT制程工藝攻克了非穿通型(NPT)技術(shù)工藝,2018年推出車規(guī)級(jí)IGBT4.0技術(shù),該技術(shù)在非穿通型基礎(chǔ)上,增加了復(fù)合場(chǎng)終止層,并進(jìn)一步減薄了芯片厚度。
?在2018年9月公開(kāi)的一份專利中,比亞迪提出了深溝槽柵的技術(shù)方案;2019年3月、4月公開(kāi)的兩份專利中,提出了場(chǎng)終止層(電場(chǎng)截止)的技術(shù)方案。
?芯片,大家都愛(ài)說(shuō)第幾代技術(shù),代數(shù)越高水平也越高。對(duì)于芯片工藝水平的代數(shù)劃分,沒(méi)有一定之規(guī),對(duì)比一個(gè)比較被廣泛采納的劃代標(biāo)準(zhǔn),可以發(fā)現(xiàn)比亞迪IGBT芯片整體還是處于第4代,近兩年開(kāi)始試圖在第5代、甚至第6代技術(shù)上有所突破。
?而國(guó)際上,2018年IGBT芯片已經(jīng)進(jìn)入了“微溝槽柵+場(chǎng)截止”的第7代技術(shù),三菱電機(jī)、富士電機(jī)、英飛凌都有產(chǎn)品推出。比亞迪的技術(shù)迭代還處于跟隨、追趕的狀態(tài)。
?◆比亞迪重點(diǎn)研發(fā)了些啥?
?我們用了兩種方法來(lái)看比亞迪IGBT的重點(diǎn)發(fā)力區(qū)。
?第一種是簡(jiǎn)單直白的專利標(biāo)引德溫特手工代碼排序。
?德溫特手工代碼排序顯示,除了關(guān)鍵的MOS柵雙極管以外,無(wú)機(jī)材料沉積(金屬氧化物)、柵電極、電極和互連層的加工、半導(dǎo)體熱處理(退火等)、散熱(包括芯片及模組散熱等)、硅基材料、電動(dòng)車電控系統(tǒng)等,也是比亞迪IGBT專利布局較為集中的技術(shù)領(lǐng)域。
?第二種方法是專利文本挖掘。
?借助于incoPat專利數(shù)據(jù)平臺(tái),我們將比亞迪IGBT專利數(shù)據(jù)進(jìn)行文本聚類,繪制了一份技術(shù)研發(fā)重點(diǎn)專利地形圖,圖中深色等高線部分表示比亞迪專利技術(shù)研發(fā)密集區(qū)。
?從這份專利地圖中,如果你是技術(shù)硬核,可以看懂比亞迪的IGBT專利重點(diǎn)包括:IGBT結(jié)構(gòu)、散熱、IGBT芯片、IGBT模組、覆銅陶瓷基板(DBC?substrate)、電控技術(shù)等。
?模組研發(fā)其實(shí)是比亞迪在2010年之前重點(diǎn)做的事,還屬于比較低的段位。那最近三年,比亞迪在做些什么呢?
?最近三年,比亞迪關(guān)注最多的技術(shù)主題是基板制造、IGBT芯片封裝、散熱,此外,公司對(duì)IGBT芯片制造工藝、加工設(shè)備、過(guò)程控制,及電控系統(tǒng)(包括電機(jī)故障定位)等也有關(guān)注,其中IGBT制造工藝方面,當(dāng)前的研究重點(diǎn)是光刻、溝道絕緣層、擴(kuò)散法金屬摻雜等。
?此外,比亞迪已斥資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅),愿景是在2023年以SiC基半導(dǎo)體全面替代硅基半導(dǎo)體。
?◆比亞迪有哪些核心專利?
?專利強(qiáng)度能夠說(shuō)明專利的重要性。
?知識(shí)貼士:專利強(qiáng)度(Patent?Strength)是Innography公司提出的核心專利評(píng)價(jià)指標(biāo)。綜合了10余個(gè)影響專利價(jià)值的變量,包括:專利權(quán)利要求數(shù)量、引用先前技術(shù)文獻(xiàn)數(shù)量、專利被引用次數(shù)、專利家族大小、專利申請(qǐng)時(shí)程、專利年齡、專利訴訟情況等。專利強(qiáng)度取值范圍0-100,專利強(qiáng)度值越高說(shuō)明該專利越重要(是公司的核心專利)。
?對(duì)比亞迪的所有專利族進(jìn)行強(qiáng)度分析,發(fā)現(xiàn)專利強(qiáng)度超過(guò)60的專利族有10個(gè)。沒(méi)錯(cuò),這些就是比亞迪核心的IGBT技術(shù)專利了,也是比亞迪“不容觸犯”的專利重鎮(zhèn),這些專利的保護(hù)內(nèi)容涉及過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、電控系統(tǒng)及故障檢測(cè)、IGBT制造工藝等。
?我們體貼地給出了這十個(gè)專利的公開(kāi)號(hào),通過(guò)公開(kāi)號(hào),您可以找到專利說(shuō)明書全文進(jìn)行研讀,我們只能幫你到這兒了。
?◆在國(guó)際賽場(chǎng)上到底是個(gè)什么水平?
?說(shuō)了這么多(一般人不懂的),比亞迪IGBT芯片到底是個(gè)什么水平?作為一個(gè)“后進(jìn)生”,與盤踞IGBT領(lǐng)域多年的國(guó)際巨頭比,比亞迪還有哪些功課需要重點(diǎn)做?
?先直接上個(gè)圖――
?比亞迪位于第III象限,與意法半導(dǎo)體、塞米控公司大致處于相同的競(jìng)爭(zhēng)地位,無(wú)論是技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力還是經(jīng)營(yíng)實(shí)力,都與英飛凌等領(lǐng)先企業(yè)有很大差距。
?英飛凌、日立、電裝位于第I象限,綜合實(shí)力最強(qiáng);富士、三菱電機(jī)處于IV象限,技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力方面較強(qiáng),而經(jīng)營(yíng)實(shí)力略微遜色;瑞薩電子在II象限,說(shuō)明其經(jīng)營(yíng)實(shí)力較強(qiáng),技術(shù)實(shí)力稍微落后。
?技術(shù)的差距到底在哪里?
?利用德溫特手工代碼,分析比亞迪與英飛凌、日立、電裝、富士、三菱電機(jī)5家頭部公司的IGBT專利技術(shù)布局,可以看出,其他5家公司的專利布局更全面;二是MOS柵雙極管、雙極管和二極管、雙極晶體管制造、襯底上沉積金屬氧化物等無(wú)機(jī)材料、雙極晶體管、柵電極是6家公司共同關(guān)注的技術(shù)領(lǐng)域。
?值得注意的是,英飛凌在沉積金屬氧化物和柵電極領(lǐng)域的專利數(shù)量已經(jīng)超越制造,說(shuō)明英飛凌在柵極加工工藝布局較多,且在5家中最為領(lǐng)先。
?另外,比亞迪在絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)領(lǐng)域的研發(fā)布局目前相對(duì)較弱,MOSFET管屬于小功率半導(dǎo)體,無(wú)法在高壓大電流下工作,這與比亞迪重點(diǎn)研發(fā)車規(guī)級(jí)IGBT芯片戰(zhàn)略吻合。
?◆敲黑板?劃重點(diǎn)
?從2005年組建團(tuán)隊(duì)算起,比亞迪做芯片做了15年,目前在國(guó)內(nèi)車用IGBT領(lǐng)域獲得了一定的話語(yǔ)權(quán),初步形成了涉及材料、散熱、制程工藝、電路保護(hù)、電控系統(tǒng)等在內(nèi)的專利布局體系。
?但是,與英飛凌、富士電機(jī)、三菱電機(jī)等領(lǐng)先IGBT巨頭比,比亞迪還有很長(zhǎng)的路要走,研發(fā)的深度廣度上仍需進(jìn)一步提升。
?比亞迪IGBT芯片雖已涉足第5代、第6代技術(shù)工藝,但量產(chǎn)的還是第4代產(chǎn)品。而三菱電機(jī)2009年就推出了第6代產(chǎn)品,富士電機(jī)則從2015年就開(kāi)始外供第7代產(chǎn)品的樣品,2018年英飛凌、富士電機(jī)、三菱電機(jī)都有第7代產(chǎn)品量產(chǎn)。2018年底,比亞迪公布能將晶圓減薄到120μm,而英飛凌的IGBT芯片最低已經(jīng)可減薄到40μm……
?商業(yè)化方面,全球IGBT市場(chǎng)上,比亞迪半導(dǎo)體所占據(jù)的市場(chǎng)份額還不到2%,即便在國(guó)內(nèi)市場(chǎng),比亞迪的車用IGBT市場(chǎng)份額也只有20%左右,外資企業(yè)仍手持最大蛋糕,例如英飛凌2019年為中國(guó)新能源汽車市場(chǎng)供應(yīng)了63萬(wàn)套IGBT模塊,市占率高達(dá)58%。
?所以,IGBT“馴化”了電,比亞迪正在“馴化”IGBT,下一步的問(wèn)題是,多路資本加持以后,比亞迪能不能快馬加鞭,搶到“英飛凌們”的蛋糕。
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