【簡介：】明年就能生產(chǎn)28納米光刻機。如果順利生產(chǎn)28納米光刻機，中國百分之九十的芯片制造都可以自足。
7納米5納米只有用在高端手機上，電腦14納米都算是非常先進，其他行業(yè)48納米制成的

明年就能生產(chǎn)28納米光刻機。如果順利生產(chǎn)28納米光刻機，中國百分之九十的芯片制造都可以自足。

7納米5納米只有用在高端手機上，電腦14納米都算是非常先進，其他行業(yè)48納米制成的芯片都已經(jīng)是非常先進了。臺積電三星中芯國際不代工，華為干脆暫時放下手機業(yè)務(wù)，轉(zhuǎn)戰(zhàn)別的領(lǐng)域。購買國產(chǎn)48納米光刻機，足以讓華為不被卡脖子。

光刻機難不難確實很難，對企業(yè)來說是真難，主要成本控制問題。如果成本控制不再考慮中，光刻機難不難，回答是給幾年時間完全能彌補上技術(shù)的差距。國家一旦調(diào)動各方力量，二三年基本上能接近荷蘭ASML廠家的水平。

上海微電子可以制造光刻機不是啥新鮮事，人家從2002年就開始立項研發(fā)光刻機了，只是我們技術(shù)實在落后，人才又缺乏，因此進展一直比較緩慢。不過，進入2010年后國產(chǎn)研發(fā)團隊不斷攻克光刻機核心子系統(tǒng)的技術(shù)南廣，未來我國光刻機將會迎來較快的發(fā)展，基本上可以從低端躍至中端，然后將向最后的高端領(lǐng)域發(fā)起沖擊。

1、上海微電子現(xiàn)有情況：目前國內(nèi)研發(fā)光刻機的廠商不少，但屬于領(lǐng)先地位的就只有上海微電子，能量產(chǎn)的90nm光刻機，其他廠商只能生產(chǎn)200nm、300nm這樣的光刻機，但在全球光刻機領(lǐng)域上海微電子屬于低端。

目前，有消息稱上海微電子正在研發(fā)28nm節(jié)點光刻機，但實際情況未知。如果說這臺28nm節(jié)點的光刻機能研發(fā)成功，那么我國芯片生產(chǎn)或?qū)⒒窘鉀Q自主問題。

因為，28nm節(jié)點的光刻機不僅僅只能用來生產(chǎn)28nm制程芯片，通過套刻多重曝光可以實現(xiàn)10nm芯片，如果代工廠技術(shù)過關(guān)，甚至可以實現(xiàn)7nm制程芯片。

這意味著在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域，我們可以實現(xiàn)較為先進的芯片技術(shù)，至于具體能不能生產(chǎn)就看中芯這類代工廠的生產(chǎn)技術(shù)了。

2、我國在光刻機領(lǐng)域的水平：全球能做光刻機的廠商其實沒幾家，除了荷蘭ASML，剩下就是日系廠商尼康和佳能，以及我們的上海微電子。

但是從這2年的發(fā)展來看，未來這個領(lǐng)域應(yīng)該只有我們和ASML競爭了。日系廠商基本屬于出局狀態(tài)，這塊它們不愿意再進行大量的投資，一句話燒不起這錢。

目前我國對于光刻機基本屬于舉國體制運作，2009年中科院牽頭執(zhí)行了02專項計劃，專門來解決光刻機的問題。光刻機由于整個系統(tǒng)復(fù)雜，牽涉技術(shù)領(lǐng)域較多，因為各核心子系統(tǒng)均分配給了不同的技術(shù)團隊和廠商來研發(fā)。

截至2020年，我們已經(jīng)解決了雙工件臺（下圖）、浸液系統(tǒng)、準分子激光光源等核心子系統(tǒng)，基本掃清了光刻機的主要技術(shù)難關(guān)，這些子系統(tǒng)如果放眼全球，基本上都是全球第二或第三掌握這些技術(shù)的廠商。

后續(xù)就看上海微電子如今將這些子系統(tǒng)進行整合了，他們只是系統(tǒng)制造商。

另外最先進光刻機使用的EUV光源，我們也正在研發(fā)中，按早前的規(guī)劃似乎要到2030年。

Lscssh科技官觀點：綜合來說，現(xiàn)階段我國在光刻機領(lǐng)域正逐步發(fā)展中，也取得了一定的成績，如果小道消息靠譜，那預(yù)估5年內(nèi)我們或許可以有較為先進的光刻機（28nm節(jié)點光刻機）。但是，要想真正沖擊高端領(lǐng)域，我們還需要花費很長的時間，至少10年起步甚至要更長時間。

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