【簡(jiǎn)介：】使用數(shù)據(jù)庫(kù)中的模具，導(dǎo)出數(shù)據(jù)后就可以建模了。
cst怎么挖一個(gè)矩形孔？
直接打開設(shè)置，找到工具箱解鎖，然后調(diào)出模型空間圖，就可以直接挖矩形孔了
gp模型是什么
由于介質(zhì)振蕩器具有

使用數(shù)據(jù)庫(kù)中的模具，導(dǎo)出數(shù)據(jù)后就可以建模了。

cst怎么挖一個(gè)矩形孔？

直接打開設(shè)置，找到工具箱解鎖，然后調(diào)出模型空間圖，就可以直接挖矩形孔了

gp模型是什么

由于介質(zhì)振蕩器具有頻率穩(wěn)定度高、噪聲低、體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、對(duì)機(jī)械振動(dòng)和電源瞬變過程不敏感等優(yōu)點(diǎn)，因此對(duì)于介質(zhì)振蕩器的研制在國(guó)內(nèi)外也引起了廣泛的關(guān)注，并且它在多個(gè)領(lǐng)域得到了應(yīng)用，例如通信系統(tǒng)、雷達(dá)信標(biāo)、電子對(duì)抗接收機(jī)、導(dǎo)彈應(yīng)答機(jī)、專用測(cè)試設(shè)備以及氣象雷達(dá)等。
基本信息
外文名 Dielectricoscillator
簡(jiǎn)要介紹
相干布局囚禁 (CP T ) 是原子與相干光相互作用所產(chǎn)生的一種量子干涉現(xiàn)象。 CP T原子鐘是一種利用 C P T現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)的原子鐘，由于其具有體積小、功耗低和啟動(dòng)快的特點(diǎn) ,而得到快速的發(fā)展并獲得日益廣泛的應(yīng)用。CP T原子鐘可以應(yīng)用不同的原子實(shí)現(xiàn), 其中最普遍的是 87 R b 原子。對(duì)于 87 Rb原子 , C P T原子鐘的頻率鎖定過程要求微波信號(hào)以 3 417. 343 75MHz 為中心頻率、在 ±1k Hz 范圍內(nèi)小步長(zhǎng)進(jìn)行掃描而獲得 C P T峰信號(hào)，應(yīng)用 C P T峰作為微波鑒頻信號(hào) , 通過控制電路將微波頻率鎖定于 CP T峰的極值所對(duì)應(yīng)的微波頻率，從而實(shí)現(xiàn)原子鐘的閉環(huán)鎖定。介質(zhì) 振 蕩器 (DRO) 作為一種微波信號(hào)合成技術(shù), 具有體積小和電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn) ,現(xiàn)在已廣泛應(yīng)用于通信系統(tǒng) ,電子對(duì)抗、導(dǎo)彈、雷達(dá)等等。為了實(shí)現(xiàn)微型 C P T原子鐘 ,就需要研制出合適的微型微波電路方案 ,DRO微波方案是可供選擇之一。
振蕩器是微波、毫米波系統(tǒng)的關(guān)鍵部件之一，它的指標(biāo)直接關(guān)系到系統(tǒng)性能的優(yōu)劣。
由于介質(zhì)振蕩器研制涉及到復(fù)雜的非線性問題，因此有些觀點(diǎn)認(rèn)為 DRO 的設(shè)計(jì)工作更像是一門手藝，而工程設(shè)計(jì)不嚴(yán)格。目前很多關(guān)于 DRO 設(shè)計(jì)方面的文獻(xiàn)試圖提出新的方法扭轉(zhuǎn)這一局面，但是他們要么在介質(zhì)與微帶的耦合結(jié)構(gòu)分析時(shí)簡(jiǎn)化等效，要么在晶體管( 或場(chǎng)效應(yīng)器件等) 建模、電路建模仿真方面含混省略，而這恰恰是 DRO 設(shè)計(jì)的關(guān)鍵及難點(diǎn)，所以這些方法仍然不能作為一種令人信服的準(zhǔn)確設(shè)計(jì)方法。DRO 設(shè)計(jì)中幾個(gè)關(guān)鍵的難點(diǎn)問題，即: ①反饋結(jié)構(gòu)參數(shù)提取，②晶體管放大部分的增益與相位控制，③DRO 的閉環(huán)和開環(huán)仿真實(shí)現(xiàn)。
特性參數(shù)
DR 耦合結(jié)構(gòu)即為 DRO 電路的反饋網(wǎng)絡(luò)，它是一個(gè)無源二端口網(wǎng)絡(luò)，其傳輸特性只與本身的結(jié)構(gòu)參數(shù)有關(guān)，而與后續(xù)連接的晶體管放大部分無關(guān)，因此可以首先將它剝離出來進(jìn)行電磁分析和仿真，以獲取反饋網(wǎng)絡(luò)的 S 參數(shù)。CST 軟件進(jìn)行電磁仿真時(shí)建立的三維結(jié)構(gòu)圖，兩條平行微帶線的阻抗均為 50 歐姆，一個(gè)微帶線開路，另一個(gè)端接 50Ω 電阻到地。調(diào)整兩條平行耦合微帶線的間距、 DR上方金屬調(diào)諧盤的高度、 DR 的高度，可以得到不同情況下耦合結(jié)構(gòu)的 S 參數(shù)，進(jìn)而得到多種情況下反饋網(wǎng)絡(luò)的 φR、 LR。耦合結(jié)構(gòu)的諧振頻率在 5．809GHz，插入損耗 － 5．889dB。將仿真結(jié)果導(dǎo)出為 S2P 文件，然后導(dǎo)入到后續(xù)的電路仿真中，便可以將此耦合結(jié)構(gòu)作為一個(gè)固定的子電路模塊使用。
設(shè)計(jì)方法
DRO閉環(huán)仿真設(shè)計(jì)方法
晶體管非線性模型建立
晶體管是 DRO 中的一個(gè)關(guān)鍵部件，要進(jìn)行 DRO 的計(jì)算機(jī)仿真設(shè)計(jì)，就必須首先建立其電路模型。晶體管管芯的 Gummel － Poon模型( 簡(jiǎn)稱 GP 模型) ，其常用的 SPICE 參數(shù)有 30 個(gè)左右，如表征正向直流特性的 IS、 NF、 BF、 ISE、 NE、 IKF、 VAF，表征反向直流特性的 NR、 ISC、 NC、 BR、 IKR、 VAR 等。由于器件管芯在封裝時(shí)會(huì)引入寄生參量，因此也必須加以考慮，進(jìn)而建立包含封裝寄生參數(shù)的晶體管等效電路。通常管芯 SPICE 參數(shù)值、封裝后寄生參數(shù)的大小，晶體管生產(chǎn)廠家均會(huì)提供，這樣一個(gè)非線性晶體管模型就建立完成，可以將它作為一個(gè)子電路加入到后續(xù)的電路仿真中。
閉環(huán)諧波平衡仿真
在電路仿真中采用商用 AWR 電路仿真軟件，建立閉環(huán)電路仿真拓?fù)淠Ｐ?。其?DR 耦合結(jié)構(gòu)采用 CST 電磁仿真時(shí)獲得的 S 參數(shù)模型，以一個(gè)二端口元件的形式加進(jìn)來，晶體管采用前面建立的非線性模型，以一個(gè)三端口元件的形式加入到仿真電路中。晶體管的基極采用單短路枝節(jié)匹配，集電極采用單開路枝節(jié)匹配。優(yōu)化基極、集電極匹配電路，通過閉環(huán)諧波平衡仿真得到 DRO 的特性。電路在 5． 734GHz 振蕩，與DR 耦合結(jié)構(gòu)的諧振頻率 5． 809G 非常接近。DRO的輸出功率可以達(dá)到 17． 3dBm，相位噪聲指標(biāo)為 － 91dBc /Hz /10kHz、－ 114dBc /Hz /100kHz，性能優(yōu)良，滿足一般雷達(dá)和通信系統(tǒng)等的要求。
以上是基于晶體管非線性模型時(shí) DRO 的仿真設(shè)計(jì)方法。由于目前很多晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管的生產(chǎn)廠家不提供芯片的非線性模型及參數(shù)，而只提供其 S 參數(shù)供用戶使用，所以研究基于器件小信號(hào) S 參數(shù)的 DRO 設(shè)計(jì)方法也是具有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義。
DRO 開環(huán)仿真設(shè)計(jì)方法
基于晶體管小信號(hào) S 參數(shù)進(jìn)行 DRO 的線性化仿真設(shè)計(jì)，可以將復(fù)雜的非線性問題轉(zhuǎn)換為簡(jiǎn)單的線性仿真。直接將晶體管 S 參數(shù)導(dǎo)入 AWR 軟件工程中，在子電路庫(kù)中將會(huì)出現(xiàn)這個(gè)晶體管的模型供電路仿真使用。同樣建立開環(huán)線性仿真的電路拓?fù)?。利用虛地理論將閉環(huán)系統(tǒng)斷開為一個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò)，即一個(gè)放大器和一個(gè)選頻反饋網(wǎng)絡(luò)的形式，其中的選頻網(wǎng)絡(luò)參數(shù)就是前面 CST 仿真得到的 DR耦合結(jié)構(gòu) S 參數(shù)。
振蕩條件分析
對(duì)閉環(huán)自激的開環(huán)分析，可用控制論中的尼奎斯特判據(jù)得到嚴(yán)格的起振條件判據(jù)。尼奎斯特判據(jù)是利用極坐標(biāo)下的圍線圖表示，這和特性參數(shù)的波特圖有一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系，為振蕩器的分析提供極大的方便。當(dāng)傳輸特性參數(shù)的相位為負(fù)斜率，且零相位處增益大于 1 時(shí)，此頻率就是一個(gè)穩(wěn)定振蕩頻點(diǎn)。
利用開環(huán)測(cè)得的 S21 來描述閉環(huán)穩(wěn)定條件有很大的誤差，因?yàn)殚_環(huán)網(wǎng)絡(luò)的 S 參數(shù)是在輸入輸出端匹配的條件下得出來的。當(dāng)開環(huán)系統(tǒng)閉環(huán)后，由于輸出輸入阻抗條件變化，使開環(huán) S 參數(shù)不再適用，因此引入了同輸入輸出端口阻抗無關(guān)的 G 參數(shù)。
仿真結(jié)果
將前面基于晶體管非線性模型仿真獲得的晶體管基極、集電極匹配電路參數(shù)不做修改直接用于線性仿真，根據(jù)開環(huán) G 參數(shù)分析方法，可以得出該 DRO 在 5． 796GHz 穩(wěn)定振蕩，與前面非線性模型的仿真結(jié)果基本吻合，只相差了 62MHz，幾乎可以忽略。根據(jù)上述電路仿真結(jié)果，實(shí)際制作了 DRO 樣機(jī)，實(shí)測(cè) 結(jié) 果: 振 蕩 頻 率 5． 898GHz，相 位 噪 聲 － 80dBc /Hz /10kHz，二次諧波抑制 － 15dBc。實(shí)測(cè)結(jié)果與仿真結(jié)果是比較吻合的，而且設(shè)計(jì)電路安裝后幾乎不用調(diào)試即可穩(wěn)定起振，設(shè)計(jì)效率大大提高。
系統(tǒng)研究了介質(zhì)振蕩器的精確仿真設(shè)計(jì)方法。前一種基于晶體管非線性模型的方法略微復(fù)雜一些，它可以觀察輸出頻譜情況和相位噪聲性能，對(duì) DRO 性能的仿真分析更加全面。當(dāng)廠家不提供晶體管非線性模型和參數(shù)時(shí)，可采用后一種基于晶體管線性 S 參數(shù)的仿真設(shè)計(jì)方法，這種方法只能仿真振蕩的基頻頻率，其它指標(biāo)性能無法觀察。因此這兩種方法各具特色，具有一定的互補(bǔ)性，設(shè)計(jì)時(shí)要根據(jù)具體的已知條件來選擇。通過兩種方法仿真結(jié)果的對(duì)比分析，彼此印證了兩種仿真方法的有效性和準(zhǔn)確性。

由于介質(zhì)振蕩器具有頻率穩(wěn)定度高、噪聲低、體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、對(duì)機(jī)械振動(dòng)和電源瞬變過程不敏感等優(yōu)點(diǎn)，因此對(duì)于介質(zhì)振蕩器的研制在國(guó)內(nèi)外也引起了廣泛的關(guān)注，并且它在多個(gè)領(lǐng)域得到了應(yīng)用，例如通信系統(tǒng)、雷達(dá)信標(biāo)、電子對(duì)抗接收機(jī)、導(dǎo)彈應(yīng)答機(jī)、專用測(cè)試設(shè)備以及氣象雷達(dá)等。